Samsung 3 nanometrlik prosessorların istehsalına start verib

    Samsung-un 3 nanometrlik prosessorları istehsal etməyə başladığı barəsində məlumat şirkətin rəsmi saytında qeyd edilib. Bundan əlavə olaraq Samsung 3 nanometrlik texnoloji prosesin üstünlüklərindən də danışıb. Ümumi olaraq söyləmək olar ki, 3 nanometrlik prosessorlar əvvəlki prosessorlar ilə müqayisədə daha kompakt ölçülü və daha güclü olacaqlar. Bununla yanaşı onlar daha az enerji sərfiyyatına sahib olacaqlar. Şirkətin sözlərinə əsasən 5 nanometrlik prosessorlardan fərqli olaraq yeni nəsil prosessorların sahələrinin 16% daha kiçik olmalarına baxmayaraq onların performansları 23%, enerji effektivlikləri isə 45% yüksələcək. Bu cür prosessorların istehsalında Gate-all-round (GAA) adlı tranzistor arxitekturasından istifadə ediləcək.

 Sözügedən tranzistor arxitekturasının kommersiya adı Multi-Bridge-Channel FET-dir (MBCFET). Bundan əlavə olaraq məlumatda qeyd edilib ki, 3 nanometrlik texnoloji proses əsasında olacaq ikinci nəsil prosessorların da hazırlanmasına artıq start verilib. İkinci nəsil 3 nanometrlik prosessorların sahələri 35% daha kiçik olacaq. Bununla belə birinci nəsil 3 nanometrlik prosessorlardan fərqli olaraq ikinci nəsil 3 nanometrlik prosessorların performansları 30%, enerji effektivlikləri isə 50% yüksələcək. Samsung 3 nanometrlik prosessorların ilk olaraq kim tərəfindən sifariş edildiyi barəsində məlumat verməyib. Bəzi məlumatlara əsasən yeni nəsil Snapdragon prosessorlarının yaradılması üçün Qualcomm şirkəti 3 nanometrlik sxemləri iri miqyasda sifariş edə bilər.